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《中国科学基金(英文版)》2020,(2)
Transparent conductive films(TCFs) have attracted intense attention in many electronic products, such as flexible devices, organic light-emitting diodes and stretchable electronics. Indium tin oxide(ITO) is the most commonly used transparent conductive material. However, the instinct brittleness, low reserves and high manufacturing costs associated with ITO prompted searching for a suitable alternative. The alternatives are expected to have a comparable optoelectrical performance with ITO, excellent flexibility and low cost. At present, metal nanowires(NWs) are the only alternative to ITO that satisfy these requirements concurrently. Nevertheless, practical applications of metal NWs are still limited by several drawbacks, including the poor quality of synthesized NWs, the loose wire to wire junctions, and the low resistance against oxidation or corrosion. This review summarizes the recent developments of TCFs to address these challenging issues and highlights some most important fabrication methods to improve the conductivity and stability of TCFs. At last, the applications of TCFs in a variety of devices, such as transparent heaters, organic light-emitting diodes and electrochromic devices, are also discussed. 相似文献
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研究了直流操作电源监控的关键技术,结合电力电子、计算机、通信等新技术,研究了该系统直流操作电源监控模块,对其器件及电路进行了分析。 相似文献
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采用插入较厚(40, 80和120 nm)的BCP空穴阻挡层, 制备了结构为ITO/CuPc/NPB/ Alq3/BCP(x nm)/Al的有机发光二极管, 并在不同温度下测量了器件电流随外加磁场的变化(即magneto-conductance, MC). 发现不同厚度BCP插层器件在低场(0≤B≤50 mT)下均表现为正磁电导效应, 且这一特性与器件工作温度无关. 但高场部分(B>50 mT)的MC却表现出对温度及厚度有较强的依赖关系, 即随着温度的降低, 120 nm BCP插层器件表现出明显的正负磁电导转变; 而80和40 nm的BCP器件则不存在这种转变现象, 在低温下只存在负磁电导成分. 其原因可能是: MC低场正磁电导部分由超精细相互作用引起; 而高场MC的正负转变则主要是由于较厚BCP插层引起大量没有复合的剩余空穴, 与低温下长寿命的三重态激子相互作用(即TQA作用)引起的. 相似文献
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PIC系列单片机是美国Microchip公司生产的高性能价格比的标志产品,CPU采用RISC结构,分别仅有33,35,58条指令,采用Harvard双总线结构,运行速度快,低工作电压,低功耗,较大的输入输出直接驱动能力,价格低,小体积。在办公自动化设备,消费电子产品、电讯通信、智能仪器仪表、汽车电子、金融电子、工业控制不同领域都有广泛的应用。 相似文献
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有机/聚合物电存储器及其作用机制 总被引:3,自引:0,他引:3
有机电存储是近几年来有机电子学与信息存储交叉领域的研究热点. 本文介绍了有机电存储器的基本概念与原理, 分类论述了有机/无机纳米杂化电双稳态材料、有机/聚合物电双稳态材料以及有机金属配合物电双稳态材料的最新研究成果, 讨论原型动态随机存储器、一次写入多次读取存储器以及非易失性闪存存储器的实现, 同时总结电开关与存储的形成机制, 主要包括场致电荷转移机制、丝状电导机制、构象转变与相变机制、载流子俘获释放机制以及氧化还原机制, 并展望今后的研究工作. 相似文献
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2007年诺贝尔物理学奖授予巨磁电阻(Giant Magnetoresistance)效应的发现者。他们是法国物理学家阿尔贝8226;费尔(Albert Fert)和德国物理学家彼得8226;格伦贝格(Peter Grünberg)。在探索基本磁性问题(人工结构中的交换作用)过程中发现了巨磁电阻现象。随后,巨磁电阻效应和金属多层薄膜被用于读取计算机硬盘数据。近十年来的开发,使得计算机硬盘的密度和容量提高了几百倍。这个发现使人们对自旋极化电子输运过程产生特别的兴趣,并导致自旋电子学(Spintronics)的创立。 相似文献
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高温超导小型化交叉线自均衡线性相位滤波器 总被引:2,自引:0,他引:2
利用高温超导薄膜制作的高温超导滤波器同时具备极低插损和陡峭带外截止特性,但对电路加工工艺要求很高.为了便于采用常规光刻工艺加工交叉线高温超导自均衡线性相位滤波器,本文采用一种特殊结构的多曲折线谐振器.结合自拟的线性相位滤波器耦合矩阵在35.1mm×6.6mm、具有极低表面电阻、厚度为0.5mm、介电常数为23.5和LaAlO3作为衬底的微带线YBCO/LaAlO3/YBCO双面高温超导薄膜上设计并制作了八级高温超导小型化交叉线自均衡线性相位微带线滤波器,在77K时测得其中心频率为2513.5MHz,带宽为15MHz,群时延起伏15ns的有效带宽占通带的70%以上。 相似文献