Ti-Ni合金中点缺陷的正电子湮没探讨

一、前言 金属合金淬火处理后存在非平衡的点缺陷。具有形状记忆和超弹性效应的等原子百分比Ti-Ni合金及其元件产品往往需要用淬火和快速降温工艺进行预处理,这就意味着点缺陷对形状记忆效应(或热弹马氏体相变)起了不可忽视的作用,有人曾提出点缺陷是马氏体相变的一个控制因素。无庸置疑,搞清Ti-Ni合金中点缺陷无论对相变机理,还是对实际应用研究     

铝基玻璃态合金

铝基结晶态合金是最常用的有色合金之一,而近年来发展的铝基玻璃态合金则具有两倍于常规铝基合金的强度,并兼有良好的韧性和耐腐蚀性,是一种潜在的新型优质结构材料,因而受到材料科学界的关注。玻璃态合金又称为金属玻璃或非晶态合     

硅材料中的Si-H红外吸收光谱及其相关的键性质

一、引言 关于硅材料中氢的性质和行为的研究历史虽不长,业已展现其实用前景。例如,氢有效地降低无定形硅的能带隙中的态密度而使其具有显著的电学和光学性质,并已在太阳能电池方面获得应用;氢能够钝化(中和)电活性的点缺陷,这种性质有希望改善半导体器件的制造工艺,氢甚至可以同广延性的缺陷相互作用,例如氢抑制硅单晶生长中产生的旋涡缺陷以及诱发一种雪花形缺陷。     

硅镁裂化催化剂的研究 (Ⅱ)表面性质和裂化性能的关系

有关硅镁催化剂的活性中心性质及其中碱性氧化镁所起的作用,在文献上很少评述。前报曾报导硅镁比硅铝对页岩油有较高的裂化性能。本报则研究氧化镁含量不同之硅镁的表面酸碱性质与裂化性能的关系,井与SA30(Al_2O_3含量为30％的混合法硅铝),共胶球(苏联共胶球状硅铝)和白土     

材料强度的物理基础

强度(靱性、硬度)是固体的基本性质。其中显示着原子间键合的基本规律。同时,在人类历史土,强度是物体首先被利用的在实用上最重要的性质之一。住宅、武器、劳动工具基本上郡是以固体造成的,这些物体或者是从自然界开采来的,或者是将天然物体加工而成。在现代技术中,具有特殊强度的材料的重要性更增加了许多倍。进行某些金属和陶器的高速切削及压力加工时,需要创造超硬合金;涡轮制造,特别是航空发动机的制造,需要能在温度高于1,000℃时经受大负荷的耐热材料。很多技术     

中子辐照CZ硅中缺陷的光致发光研究

一、引言 近年来,随着缺陷工程的发展,有关CZ硅辐照缺陷的研究得到了极大的关注。中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的生成。目前,光致发光(PL)作为表征半导体材料的一种有效手段得到了广泛的应用。研究光致发光谱可认识材料的一系列物理过程和性质,还可获得有关局域态的知识,     

缺陷工程——开发大规模集成电路硅材料的一个重要因素

随着近代科学技术的发展,人们对材料的要求越来越高。目前,固体缺陷的研究已超越物理学的范畴,向其他学科渗透,向纵、深发展,已经成为材料科学的一个重要组成部分。固体缺陷研究的一个主要任务是,研究材料缺陷的形成、演变及其对性能的影响,采用先进工艺技术,减少缺陷的产生,以获得高质量的材料。近年来,根据应用对材料的要求,人为地控制或利用缺陷,以获得高质量的材料,这     

Sc和Ti对纯铝细化机理的价电子结构分析

传统的相图理论和晶体界面共格理论无法从本质上解释Sc和Ti对纯铝及铝合金的细化作用差别的机理. 运用固体与分子经验电子理论(EET)研究了Al-Ti, Al-Sc两种合金的价电子结构, 通过计算共价键电子对数、界面电子密度差, 指出两种合金形核质点的晶体共价电子对数目多少、第二相颗粒与基体界面电子密度差的不同等因素, 是造成Sc, Ti对纯铝细化作用差别的本质原因.     

脉冲激光诱导蒸气沉积硅薄膜

近年来,激光诱导化学反应研究的很广泛。激光的频率调谐到与分子的振荡能级相匹配时,分子的振动模式将受到很大影响。类似分子的激发,可以导致在基板上沉积固体薄膜。硅薄膜在太阳能材料和半导体工业方面是很重要的。它可用不同的方法来制备,其中化     

金属热膨胀系数和键能

热膨胀系数是金属材料最重要的基本性质之一。研究金属热膨胀系数的规律性对选择和使用合适的金属材料,在理论上和实践中都有很大的意义。 金属热膨胀系数的规律性,前人曾有不少研究。如Carnelley早就指出熔点高的材料具有较小的热膨胀系数而熔点低的金属具有较大的热膨胀系数。后来Hidnert和Sonder把这个关系表达成下列经验公式:     

铝锂合金晶界无析出区的内耗研究

断裂韧性和延伸率低一直是影响铝锂合金快速应用的重要因素,而相析出和晶界无析出区(δ′PFZ)则对导致这一弱点起到重要作用.长期以来,人们已通过各种时效热处理和添加元素控制和获得δ′(Al_3Li)相、δ′PFZ相等组态以便改善合金的韧塑性,而这中间唯一能观察和揭示δ′PFZ相信息的手段只有电子显微镜,而且大都限于静态情况.本文则利用能灵敏反映缺陷的固体内耗技术首次对δ′PFZ的存在和演化行为做了实验研究,提出了又一有用的判据.     

金属材料的离子注入法

所谓“离子注入”,就是将某种元素电离后,借助于高压电场把离子加速到很高的速度,打入固体材料中,以改变材料的物理化学性质。奇妙的特性 用作离子注入的元素有碳、氮、铬、铝、硅等,根据具体情况选用其中一种或几种。加的电压越高,离子获得的能量就越大,运动速度也越     

低晶格热导率热电材料

热电材料能够实现热能和电能之间的直接相互转换,被视为具有广泛应用前景的清洁能源材料。热电材料的规模化应用主要受制于其较低的能量转换效率,因此提高材料的热电性能仍然是当前研究的重心。优化电输运性能和降低晶格热导率是提升热电性能的两条主要途径。相较于强关联的电导率和塞贝克系数,晶格热导率相对可以独立调控,因此如何获得低晶格热导率成为热电材料研究的热点。文章综述了利用晶体缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、填隙原子等降低晶格热导率的方法及其声子散射机制,并对低维、低声速、低比热等热电材料的研究进展及其具有本征低晶格热导率的机制进行了介绍。     

ESR研究ZrO_2纳米晶的点缺陷

电子自旋共振(ESR)是研究晶体中点缺陷和化合物中离子价态的实验方法之一.ESR实验研究发现ZrO_2纳米晶中的点缺陷与材料制备的方法和工艺密切相关.通常情况下ZrO_2多晶和微晶是白色的,Zr~(4+)和O~(2-)都是非磁性离子,自旋量子数s均为零,因而没有ESR信号.但用柠檬酸盐爆炸分解方法制备的纳米晶(粒径为9.2nm)是深灰色的,并测到了色心的ESR信号,这是由于爆炸分解法制备的纳米晶是在极短促的瞬间生成的,晶粒中有许多色心点缺     

位错理论的继承、分析、应用和发展

一位错理论与强度物理学强度物理学是固体物理学的一个分支。它所研究的范围是固体(特别指晶体)的力学性质与内部结构之间的关系。当固体受到渐渐增加的拉伸应力的作用时,它首先发生弹性形变,随后发生不可回复的或范性的形变,最后发生断裂。此外,当固体在较高温度下进行拉伸时,会发生蠕变;在循环应力的作用下,会出现疲劳现象;而在较低温度下,则主要产生变脆的现象。上述这些弹性、范性和断裂等现象是固体用作工程材料时所表现的宏观性能。研究     

低晶格热导率热电材料

热电材料能够实现热能和电能之间的直接相互转换，被视为具有广泛应用前景的清洁能源材料。热电材料的规模化应用主要受制于其较低的能量转换效率，因此提高材料的热电性能仍然是当前研究的重心。优化电输运性能和降低晶格热导率是提升热电性能的两条主要途径。相较于强关联的电导率和塞贝克系数，晶格热导率相对可以独立调控，因此如何获得低晶格热导率成为热电材料研究的热点。文章综述了利用晶体缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、填隙原子等降低晶格热导率的方法及其声子散射机制，并对低维、低声速、低比热等热电材料的研究进展及其具有本征低晶格热导率的机制进行了介绍。     

二维过渡金属二硫化物的能带调控

二维过渡金属二硫化物(transition metal dichalcogenides, TMDCs)因其原子级平坦的表面、可调的能带结构等优势而在光学、电学、热学等领域受到广泛关注,并且为解决传统硅基晶体管尺寸进一步微缩面临的挑战提供了新的机遇.能带工程是调控二维TMDCs材料电子结构并研究其物理学特性的重要手段.本文从本征调控和外部调控两个方面综述了近年来二维TMDCs材料中的能带调控策略,主要包括本征层数调控、零维点缺陷调控(晶格空位构筑、掺杂/合金化)、施加应变、构筑异质结等.在现有研究成果的基础上,对未来的研究方向进行了展望.     

非晶态CoFeNiNbSiB软磁薄膜的制备和性能

钴基非晶合金薄膜是一种优良的软磁材料,它具有非常高的磁导率和极为优良的高频特性,是制做薄膜磁头,薄膜电感的理想材料,已受到人们的很大重视。在钴基非晶合金中加入Nb,可以提高材料的物理特性,提高晶化温度,改善材料的温度稳定性。CoFeNiNbSiB非晶薄带是一种性能十分优良的软磁材料,它的磁致伸缩系数近于零,具有优良的软磁特性及     

纳米固体镍钛的居里温度

纳米固体是一种全新结构的固体材料.由于它的特殊结构和性能,引起了科技界和工业界的重视,开展了广泛的研究.我们这里所指的纳米固体是由超细颗粒(通常为1～100 nm)在保持较清洁的表面原位加压成型的块体材料.由于所组成的是超细颗粒,且具有很高的界面体积从而使材料的物理性能有很大改变甚至完全与常规材料不同.本文介绍采用TG方法测得的纳米固体镍钛的居里温度及其变化.     

改性MCM-41吸附等温线、IR以及29Si MAS NMR的研究

近年来Mobil公司合成了一族中孔材料M41S,MCM-41是其中成员之一.它有六方规则排列的单维孔道,与其他中孔材料相比,具有孔径均匀、热稳定性和水热稳定性好以及吸附无滞后的特性.它的高比表面积(>1000m~2·g~1)和大吸附容量(>0.7mL·g~(-1))使之具有广泛应用前景.MCM-41分子筛的孔径大小可以在制备时通过选择模板剂(表面改性剂)的碳链长度、添加辅助有机分子(如1,3,5-三甲基苯)以及改变反应条件来调变,范围一般从1.6～10nm,其孔壁厚度可在0.3～1.3nm范围内变化.由于它具有大而均匀的孔道以及表面存在着硅羟基缺陷,很容易被改性.如经三甲基氯硅烷化后孔径减小0.9nm.目前除了用三甲基氯硅烷来改性外,尚未见用其他方法改性MCM-41的报道.本文采用水热处理以及二甲基二氯硅烷对高硅MCM-41进行改性.水以及环己烷吸附等温线、固体魔角核磁共振谱(~(29)Si MAS NMR)以及红外光谱(IR)证实了改性使MCM-41硅羟基缺陷减少,表面吸附性质因而发生根本变化.