Al2O3掺杂N型赝三元半导体复合材料的微观结构与热电性能

采用机械合金化方法制备N型赝三元半导体热电材料，经500℃高温烧结后，与纳米Al₂O₃粉体充分混合，在200℃下热压成型得到N型Al₂O₃-（Bi₂Te₃）_0.9（Sb₂Te₃）_0.05（Sb₂Se₃）_0.05复合块体热电材料.微观结构分析和热电性能测试结果表明，高温烧结后材料的结晶度变高；随Al₂O₃掺杂浓度的增高，材料的电导率和热导率逐渐减小，而Seebeck系数几乎不变.在Al₂O₃掺杂浓度为0.5 wt%时，热电优值达到2.05×10^-3 K^-1.     

夹杂物诱导晶内铁素体形核物理模拟研究

用物理模拟法研究了夹杂物MnS、Al₂O₃和Al₂O₃·Mns在晶内铁素体形核过程中的作用;用数字式金相显微镜观察了夹杂物界面附近区域的金相显微组织变化;用电子探针分析仪对夹杂物界面附近微区的化学成分进行了分析.研究结果表明:MnS、Al₂O₃和Al₂O₃·MnS不能使夹杂物与金属界面附近微区的化学成分发生变化,但MnS与Al₂O₃·MnS具有诱导晶内铁素体形核的能力,Al₂O₃不具有诱导晶内铁素体形核的能力;在氧、硫复合物Al₂O₃·MnS中,夹杂物表面的物质Mns在晶内铁素体形核过程中起着重要作用.     

二维材料微观剥离机制的理论计算研究

二维材料由于其优异的电化学、催化、储能等性能受到广泛的关注,探索剥离新型二维材料是当前研究热点,然而目前二维结构实验制备技术还没有达到精确可控的程度,微观剥离机制还有待研究.据此利用密度泛函理论计算,通过计算GN(石墨烯)、black-P、MoS₂、BN,、Ti₃C₂O₂、去Li的LiCoO₂、Li、Si 8种材料的剥离能和电荷空间变化,阐明了不同类型材料的微观剥离机制,总结出了3类不同剥离能范围的微观主导机制.这些结果为发展微观层面可控二维材料制备技术提供了一定的理论依据.     

MnFe2O4/CNTs/GA光催化材料的制备及其类Fenton催化性能

采用低温共沉淀法制备了铁酸锰(MnFe₂O₄)纳米颗粒,水热法合成了碳纳米管(Carbon nanotubes, CNTs)、MnFe₂O₄共掺杂石墨烯气凝胶(Graphene aerogel, GA)的MnFe₂O₄/CNTs/GA复合光催化材料。同时,采用X射线衍射(X-ray diffraction, XRD)、扫描电子显微镜(Scanning electron microscopy, SEM)、N₂吸附-脱附、傅里叶变换红外光谱(Fourier transform infrared spectoscopy, FT-IR)和X射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)等技术对催化剂的晶体结构、微观形貌、孔结构和元素价态等进行了表征。催化降解实验结果表明,水热反应温度为180℃时制备的MnFe₂O₄/CNTs/GA催化剂光催化活性最佳,类...     

PbO-Nb2O5系化合物的X线研究及声光性质预测

本文对PbO-Nb₂O₅系化合物进行了粉末X线研究,比重测量和声光性质预测.X线分析证实Roth所发表的此系中六种化合物的存在.精确测得了P₃N和P₅N₂的晶胞参数和粉末衍射数据.发现组成为P₅N₂的PbO、Nb₂O₅混合物在900℃~1150℃间出现P₃N中间相.指出系中PbO含量较高的P₃N、P₅N₂、P₂N和P₃N₂均具有较高的声光优值,有希望作为新的声光材料.     

改性锆酸锶陶瓷的制备及电导

本工作研究了添加Al₂O₃、CaO、Cr₂O₃和Fe₂O₃的SrZrO₃陶瓷的制备工艺及杂质对SrZrO₃电阻率的影响.加有添加剂的SrZrO₃陶瓷可沿用普通陶瓷工艺,于1750-1800℃烧成.适当的添加剂可使SrZrO₃的电导激活能大幅度降低,从而有效地降低电阻率.对于组成为90%SrZrO₃+5%Cr₂O₃+4%CaO十1%Al₂O₃(重量比)的样品,电导激活能为17.6kcal/mol;对组成为SrO+(ZrO₂)_0.9+(Fe₂O₃)_0.05的样品,电导激活能为4.53kcal/mol.上述组分的陶瓷具有电导率较高、易于烧结等优点,有希望作为高温导电材料使用.     

Fe3O4生成过程的研究

化学共沉淀工艺制备Fe₃O₄的磁性与沉淀剂、混合方式、溶液浓度、Fe⁺⁺与Fe⁺⁺⁺、Fe⁺⁺与OH^-1离子的克分子比率等密切相关.当碱性溶液缓慢滴入Fe⁺⁺,Fe⁺⁺⁺混合溶液中时,Fe₃O₄的生成过程大致上分为两个阶段.     

Ni3Al（Cr）为基原位复合微晶合金的研究

提出将金属间化合物与快速凝固微晶材料的制备工艺结合起来开发新型材料的思路,制备出以Ni₃Al(Cr)为基,用M₃B₂颗粒增强和稳定的,具有均匀亚微米尺度的原位复合微晶合金.该微晶组织具有很高的稳定性,经1000℃退火未发生粗化.该微晶合金保持了基体Ni₃Al相的高温力学性能,从室温到650℃以上保持HV≈580的高硬度.     

酞菁铜蒸发膜电导特性的电极效应

本文研究了不同电极材料(Au、Ag、Cu、Al和SnO₂、In₂O₃)对酞菁铜(PcCu)蒸发膜V-I特性的影响.用同样的金属(Au、Ag、Cu)作顶底电极时,改变电极极性所得暗电流是对称的,V-I特性属典型的SCLC型.而Al/PcCu/Al体系呈现阻挡接触,估计这是蒸得的Al电极上存在氧化层之故.当Al作顶电极,玻璃基片上的SnO₂或In₂O₃层作底电极时,Al极加负电压观察到SCLC,而当SnO₂极加负电压时观察到电极限制电流,In₂O₃极加负电压时观察到负阻效应.     

层状晶体H2C4O4的反铁电相变理论

本文在赝自旋模型的基础上,根据H₃C₄O₄晶体的层状结构特点,用Green函数方法研究了它的相变性质.结果表明H₂C₄O₄的顺电-反铁电相变是一级相变.而Zinenko基于同样模型只得出二级相交的结论.求出了序参数随温度变化的关系,其结果与实验基本相符.     

几种各向异性对氧化铁Hc的影响

本文对粉状颗粒和连续薄膜在γ-Fe₂O₃与Fe₃O₄之间的相变中矫顽力H_c的变化进行了讨论.无论在氧化中或还原中,球状颗粒和连续薄膜H_c的增加主要是应力各向异性引起的;而针状颗粒H_c的降低则是受到与颗粒尺寸变化相联系的形状各向异性的影响.     

Y-Gd-Ca-V-InIG系的磁性和穆斯堡尔效应的研究

本文实验研究了Y_1.2Gd_1.2Ca_0.6V_0.3In_xFe_4.7-xO₁₂(x=0,0.2,0.4,0.6和0.8)的磁性、铁磁共振和穆斯堡尔效应,并用Néel,Gilleo和Dionne理论分别计算了材料的饱和磁矩和居里点,结果表明实验与Gilleo理论(居里点)和Dionne理论(饱和磁矩)符合较好.由唯象理论讨论了铁磁共振线宽在3.6~17GHz频段内随频率呈线性增加的实验结果.由顺磁穆斯堡尔谱间接确定了V⁵⁺和In³⁺离子在四面体(d)和八面体(a)晶位的占位.     

(BiTm)3(FeGa)5O12磁光单晶薄膜

本文论述(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜的液相外延和磁光特性.研究了外延工艺对膜的生长速率和磁光性能的影响,得到膜的磁光优值θ_F/α达2.9deg/dB,并观察了膜的磁畴结构和内部缺陷.对该薄膜制成的磁光调制器进行了低频调制试验.     

用XPS研究金属铜和铁的表面氧化物及其热力学稳定性

用XPS研究了纯铜和纯铁在室温和300℃被空气氧化时的表面氧化产物及其在真空中加热时的热力学稳定性.结果表明它们的室温表面氧化物(Cu₂O和Fe₂O₃以及二价铜比合物)在真空中300~350℃加热时可还原成金属,而高温(300℃)表面氧化物Cu₂O和Fe₂O₃在同样的真空加热时则不能还原成金属,高温CuO只能还原成Cu₂O.本文认为在"二维表面"内室温氧化物的热力学性质可以不同于本体氧化物.     

金和铂在Si-Al2O3界面的电学效应

本文系统地研究了金、铂等杂质在Si-Al₂O₃界面的电学特性及其热处理变化,给出了界面的电子能谱分析结果,并对Au (Pt)等杂质界面效应的作用机制进行了探讨.