离子选择性电极直接电位法测定牙膏中游离氟

利用氟离子选择性电极直接电位法测定了牙膏中的游离氟．讨论了总离子强度调节缓冲剂(TISAB)的组成及用量，氟电极在测定后快速恢复到空白值，以及不同空白值对测定结果的影响．实验结果表明游离氟的浓度在0．1000-9．000mg／ml范围内线性关系良好．方法的最低检出限为0．02000μg／ml，相对标准偏差RSD≤2．5％，加标平均回收率为100．8％～104．7％，方法简便，准确．     

氟电极选择性系数及自来水中氟的测定

采用混合溶液等电位法测定氟电极的选择性系数，确定了测定F^-的适宜pH范围，用校正曲线法和标准加入法分别测定了自来水中氟的含量．     

双选择性电极三电极系统中氟离子选择性电极响应特性研究

用双选择性电极三电极系统研究了在非最佳酸度条件下直接测试F^-的可能性，从理论上推导出F^-选择性电极其响应特性满足△E池F|PH2↑PH1dEiF=-2.303RT/Flg(Ka′ [H^ ])|↑[H^ ]tn 1 [H^ ]tn并通过实验可知△E池F的实验值与理论值基本吻合。     

电动势法测量离子平均活度系数和标准电极电位

电动势方法就是通过测量电池电动势来研究一定体系的热力学性质、电化学性质等,是常用的一种电化学方法。本实验通过测不同浓度时的电池电动势,从而得出不同浓度CuSO4溶液中Cu2+的平均活度系数,以及通过作图外推法求铜电极的标准电极电势,得出较好的结果。     

离子选择性电极及其发展趋势

介绍了离子选择性电极的基本结构和响应机理,并对其发展状况做了进一步的综述。     

氟离子选择性电极的再生利用

提出了一种利用ＮａＯＨ深液再生旧氟离子选择电极的方法。适宜的ＮａＯＨ浓度为０．００１－０．０５ｍｏｌ／Ｌ，浸泡时间为３０－４０ｍｉｎ。     

试样加入法-离子选择性电极测定氟

建立了一种离子选择性电极法测定高浓度氟的新方法.该方法在体积为100.0 ml、浓度为1.000×10-4 mol/l的标准溶液中加入1.000 ml高浓度试样,加入前后测定其电动势,由这两个电动势和溶液体积计算试样的含氟量.10次测定的标准偏差S小于0.004,相对标准偏差RSD小于4%,3个水平、6次测定的回收率在95.0%～101%之间.     

电位滴定法测定络合反应中金属离子的副反应系数

本文研究了用J型汞电极的电位滴定法测定金属离子副反应系数α_M的方法及原理,测定了Zn~(2+)与醋酸根、柠檬酸根、草酸根等的副反应系数。     

黄酒中微量铜,锌的电位溶出法测定

在ＮＨ３－ＮＨ４Ｃｌ（ｐＨ９．２及ｐＨ５．６）底液中，采用玻碳电极镀汞膜作工作电极，经阴极电解富集后，铜（Ⅱ）在－０．４８Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），锌（Ⅱ）在－１．０８Ｖ左右呈现良好的氧化溶出峰．峰高对浓度的线性范围：铜为０．１～２．５μｇ／２０ｍＬ，锌为０．２～４．６μｇ／２０ｍＬ．用该方法直接测定了黄酒中的微量铜和锌．     

冻土结构蠕变模拟试验时间常数的确定

用理论推导和试验法确定冻土结构蠕变模拟试验中的时间相似常数。并利用冻土墙模拟试验的经验公式，对某一深基坑平面冻土墙的变形作了计算和讨论     

四边简支部分固定矩形板的弯曲分析

本文用最小二乘配点法分析了四边简支部分固定矩形板的弯曲,探讨了相对权值的取值问题.文中还列出了部分计算结果并进行了比较.     

用加权残数法解不减薄拉伸中的弹性回跳问题

本文用加权残数法对不减薄拉伸中芦笋锅底弹性回跳问题作出解答。首先,给出满足边界条件的试函数。试函数中的待定系数可以由以下方法定出。由于试函数而产生的残数可以应用最小二乘法的误差平方值,平均分配于整个域内,用求极值的方法定出待定系数,从而获得解答。这个解就是所求的弹性回跳。依据此解,进而提出拉伸凸模的修形问题。最后,还讨论了将椭圆形底板推论为圆形板的情况。     

用单位圆法求E~n中两平面的夹角

如何用作图法来确定两个平面的夹角是多维画法几何还没有解决的问题。在现有文献中只能解决处于特殊位置的两个平面的夹角,例如两个半平行的平面、两个半垂直的平面等。本文提出的“单位圆法”解决了一般位置的两平面的夹角,从而解决了多维空间的画法几何学多年未解决的一个重大问题,使之进一步完备。     

配合物单电子转移反应的电子传递系数计算

本文用ＩＮＤＯ／２—ＭＯ法和ＩＡＤＯ法计算了一些过渡金属离子六水合物和六氨合物单电子转移反应的电子传递系数，计算结果与实验值相符，这不仅表明两种计算方法行之有效，还可以根据电子传递系数的计算值和反应速率常数的实验值以求得单电子转移反应自由能变化的热力学函数．     

瞬态退火中高密度缺陷对As增强扩散作用模型分析

分析了注入As在快速退火中的增强扩散效应,特别分析了注入层中缺陷生成过程所伴随的增强扩散效应。退火中引起高密度缺陷两种过程是:一反冲氧的作用;二高剂量注入As在品格中引入应力的作用。实验中发现,剂量高达2×10~(16)cm~(-2)和As通过SiO_2层注入硅时(As射程等于SiO层的厚度),注入的样品经高温退火后,As杂质剖面出现拐点。以拐点为分界划分出快扩散和慢扩散两个区域。用Boltzmann-Matano)方法计算了As在退火期间在硅中的扩散系数。用高压透射电镜观察表明,从硅表面到拐点处存在着高密度的缺陷,并且分析了缺陷在1～12s期间的发展过程。结果表明。在最初1～3s内已形成了高密度缺陷,且这种缺陷热稳定性很高,即使经1 150℃180s退火仍然存在。在此基础上分析高密度缺陷对增强扩散影响的模型。