若丹菁在单晶锗表面的键合

通过烯丙醇单体，用化学键合法将一种若丹菁键合在了抛光的单晶锗表面，将键合有光敏染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS谱测试。结果表明：若丹菁染料通过Ge-0键键合于锗表面。     

单晶锗表面键合光敏染料的研究

用新的化学方法将一种若丹菁键合在抛光的单晶锗表面．对键全有染料的锗片进行了激光Raman光谱及XPS光谱分析，结果表明，若丹菁通过锗氧键共价键合于锗表面．     

单晶锗表面键合份菁的研究

用一种新的化学方法，将一种份菁键合在抛光的单晶锗表面，对键合有染料的锗片进行了激光Ｒａｍａｎ光谱及ＸＰＳ谱分析，结果表明，光敏染料通过锗氧键共价键合于锗片表面。     

吡啶菁衍生物键合于单晶硅表面的研究

用化学方法将两种光敏染料２，４－吡啶等衍生物及噻－４’－吡啶等衍生物分别键合于单晶硅表面，对所得键合光敏染料之硅片进行了拉曼光谱及ｘ－射线光电子能谱的测试，结果表明：两种光敏染料都被键合在单晶硅表面。同时，测定了用键合了光敏染料的半导体硅片制成的Ｉｎ／染料／ｎ－Ｓｉ多层结构器件的光谱响应，与无覆盖抗反射膜的硅ｐ－ｎ结光电池的光谱响应曲线相比较，发现除在６５０ｎｍ处出现对应于硅衬底的吸收峰外，在短波范围内出现与光敏染料的最大吸收相对应的吸收峰。由此可见光敏染料的键合可拓宽半导体硅的光谱响应。     

单晶硅表面湿氧化及光敏染料的键合

利用湿氧化法在单晶硅表面引入活性基团（Ｓｉ－ＯＨ），然后与１，２－二溴乙基三乙氧基硅烷及染料中间体进行多步化学反应，最终在单晶硅表面生成光敏染料２，２＇，菁衍生物，并对所得键合光敏染料硅片进行了椭偏参数、拉曼光谱及ｘ－射线光电子能谱的测试，结果表明光敏染料被键合在单晶硅表面．     

单晶硅表面键合复合份菁及其伏—安特性

用化学方法将３种复合份菁化学键合于单晶硅表面，并用激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的ｎ－Ｓｉ表面具有光生伏特效应，证实了ｎ－Ｓｉ－侧存在于电子势垒。     

单晶硅表面键合复合份菁及其伏－安特性

用化学方法将３种复合份菁化学键合于单晶硅表面，并用激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱进行了表征。暗的和光照的伏安特性测量表明键合染料的ｎ—Ｓｉ表面具有光生伏特效应，证实了ｎ－Ｓｉ－侧存在电子势垒。     

以若丹明为母体的多发色团化合物的合成

合成了８个以若丹明６Ｇ，若丹明１０１，若丹明Ｂ或若丹明ＤＲ－２１为母体，以１，８－萘酰亚胺衍生物为天线基元，以双亚甲基作为桥链连接两者的多发色团激光染料，并对它们进行吸收光谱和荧光光谱的测试，结果表明，发生了从天线基元指向若丹明母体的分子内能量传递现象，并且多发色团激光染料相对于对应的若丹明染料的荧光量子产率有不同程度的提高。     

表面活性剂与水溶性吲哚方酸菁染料光谱性能

测定了四种吲哚方酸菁染料在阳离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵（CTAB），阴离子表面活性剂十二烷基硫酸钠（SDS）和非离子表面活性剂曲拉通（TX－100）水溶液中的吸收发射光谱，结果表明：这些吲哚类方酸菁染料可以与胶束发生有效的相互作用，在表面活性剂溶液中，随着胶束的形成，染料的最大吸收和发射光谱都发生红移．     

循环伏安法测定光敏染料的半波电位

用循环伏安法测定了几种若丹菁和份菁的半波电位．计算了染料的最低空位能级和最高占有能级．结果表明该法灵敏度高，重现性好，速度快．     

单晶硅表面键合菁染料的表面增强拉曼散射

用表面增强拉曼散射技术研究单晶硅表面键合光敏染料，可获得信噪比强的ＳＥＲＳ图。因染料分子中含有孤对电子的氮原子和起增强作用的银离子相互作用，使Ａｇ＋成为连结染料分子间的锁，增加染料分子极化率，使拉曼散射截面积增大，从而起到增强效果的作用。     

大麻杆活性炭对染料吸附性能的研究

以天然大麻杆为原料,采用磷酸活化法制备大麻杆活性炭。利用低温氮吸附对样品的比表面积与孔结构进行了表征,并利用亚甲基蓝与甲基橙两种染料对活性炭在液相中的吸附行为进行了研究。结果表明,样品的比表面积与中孔孔容随着活化温度的升高而增大,在500℃时达到最大值1325.73m2/g,随后由于磷酸过度活化导致结构坍塌致使各参数有所降低;在25℃下,大麻杆活性炭对亚甲基蓝与甲基橙的吸附等温线均遵循Langmu ir方程,单层吸附量分别达到471.698mg/g和363.64mg/g,吸附量主要受微孔孔容、染料分子尺寸及染料分子与活性炭表面作用力三者的共同影响。吸附动力学能够很好的符合准二级动力学方程,且亚甲基蓝的吸附速率高于甲基橙。     

P-204(磷酸〈2—乙己基基〉酯)—YW100锗萃取体系的反萃研究

本文研究了用1.0mol/LHF作为P204—YW100萃锗体系的反萃剂是行之有效的。该反萃剂的反萃液用N—235(三烷基胺R_3N)对锗进行二次富集,使锗含量达到20g/l,从而为溶剂法生产锗创造了一定条件。并对氢氟酸反萃锗的行为和N—235在萃取过程中的行为进行了讨论。     

用离子交换法确定粘土表面结合水界限

针对泥页岩吸附结合水诱发或加剧井壁不稳定问题,采用离子交换法对粘土表面结合水界限进行了定性确定。结果表明:粘土表面结合水分强吸附结合水、松散结合水(渗透结合水)、自由水三大类;相对水气平衡压P/P_s分别为0.9和0.98是粘土—水体系的两个特征湿度。前者为粘土表面强结合水与松散结合水(渗透结合水)之间的交界点(界限);后者为松散结合水(渗透结合水)与自由水之间的交界点(界限)。     

基于ABAQUS的游离磨粒对单晶锗表面冲击作用仿真分析

为研究固液两相流方法加工原理,建立ABAQUS冲击仿真模型,分别分析单晶锗材料变形过程中应力变化、不同速度冲击作用、不同角度冲击作用。仿真结果表明:加工过程中被加工材料表面在受到水平切削力和竖直挤压力共同作用下,产生塑性变形;不同速度冲击作用下,材料表面塑性形变量随速度增加而增大,最大接触应力值呈先增大后减小的趋势;不同角度冲击作用下,单晶锗弹性模量各向异性与冲击角度共同影响最大接触应力值,弹性模量各向异性不影响材料变形量,冲击角度影响材料变形量及是否会在材料表面产生应力集中现象。     

磷酸锗铝分子筛GeAPO-5的合成与表征

在弱酸性介质和氟离子存在下,以二乙氨基乙醇为模板剂,采用水热法合成了磷酸锗铝分子筛GeAPO-5。并对其结构和性能进行了表征。研究确证了Ge对AlPO_4-5分子筛骨架的同晶取代。     

锗在水稻-土壤体系内的迁移转化规律研究

本文研究了锗对不同时期水稻生理性状的影响,初步探索了锗在水稻-土壤体系内的迁移和转化规律。试验结果表明,低浓度的锗对水稻的生长发育具有促进作用,高浓度的锗则具有抑制或毒害作用。不同品种水稻幼苗的生理性状受锗的影响程度不同。锗在水稻体内的积累规律为：糙米〈根〈茎叶,即锗一旦被水稻吸收,将迅速向地上部分迁移。在实验基础上,初步确定了锗在水稻中的最高允许浓度为0.050μg/ml,为水稻作为有机锗的生物转化器提供试验数据,同时也为重金属的植物化提供一定的研究基础。