入射角与酞菁铜蒸发膜的晶粒取向

酞菁铜(PcCu)的电导测量中常用蒸发膜,在10~(-5)乇下蒸得的是α-PcCu,晶粒有显著取向,晶粒取向不同对电导测量结果影响很大,为获得重复性好,性能优良的PcCu膜,多年来,很多作者对此进行过研究。但不同作者所得X-射线衍射峰相对强度往往不同,即使是相同作者也常得到不同结果,原因不清。本工作的结果说明决定PcCu蒸发膜晶粒取向     

X-酞菁铜的暗导与光导特性

在诸多的酞菁铜(Pc Cu)晶型中,X-PcCu是光敏性较好的一种。我们在研究α-PcCu蒸发膜电导特性的基础上,用低真空快速升华法制备的X-Pc Cu制成Ag(—)/X-PcCu/SnO_2(+)夹心池,获得了较好的光暗比。在17.7 mW/cm~2的光强下(白炽W灯),2×10~5V/cm的场强时甚至可达3个量级(光电流达1.1×10~(-3)A/cm~2左右)。若把它分散在有机玻璃(PMMA)中成膜,在同样光强下,光暗比也可达2个数量级以上。此类分散在高分子溶液中的X-酞菁铜成膜方便,韧性好,便于实际使用。     

在有机溶剂中α酞菁铜向β酞菁铜转变的过程

在有机溶剂处理时,亚稳态的α-酞菁铜(α-PcCu)要向稳态的β-酞菁铜(β-PcCu)转变,这已得到实验证实。但是,在解释转变机制时文献中有不同的猜测。一种认为是α-PcCu溶于有机溶剂(尽管极微量),在超过饱和情况下形成β核后,逐渐成长为稳态的β-晶体。另一种认为β-PcCu核是α-PcCu晶体在溶剂作用下,由分子松动形成的,二者都没有实验证据。我们根据α-PcCu与β-PcCu密度不同的现象,观察α-PcCu在密度梯度管中的行为,     

Tb-Fe合金系非晶薄膜的电子输运性质

引言非晶材料的电子输运性质已成为人们感兴趣的研究课题。我们对稀土—铁族非晶薄膜开展了一些观察电子输运性质的工作。在对溅射的Gd-Co薄膜观察到低温电阻率反常之后,对用蒸发淀积方法制备的Tb_(36)Fe_(64)非晶薄膜,也观察到低温电阻率反常。在此基础上,我们在一般真空度(2×10~(-5)—6×10~(-6)mmHg)的条件下,制备了一组Tb_xFe_(100-x)(at.％)合金非晶薄膜,20≤x≤75,进一步探讨稀土一铁族非晶薄膜的电子输运性质。     

模拟掺杂聚乙炔的量子化学研究

掺杂聚乙炔是一种很有前途的新型一维高分子导电材料,纯聚乙炔膜的电导率为～10~(-9)Ω~(-1)cm~(-1),当掺杂电子给予体(如Li)或电子接受体(如I_2)而成为掺杂聚乙炔时,电导率可增加到～10~3Ω~(-1)cm~(-1[1])。     

3-乙基-5-[2-(3-乙基-2-苯并亚噻唑啉基)亚乙基]罗丹宁(BTER)蒸发膜的结晶形态及晶面取向对光电性能的关系

前已报道份菁染料3-乙基-5-[2-(3-乙基-2苯并亚噻唑啉基)亚乙基]罗丹宁(简称BTER)在1.33 Pa真空中快速蒸镀可得光导性能优良的多晶薄膜,还观察到蒸发膜有一个从非晶态向多晶态转变的过程,蒸发膜的光导电流随多晶生长而有规律地增高,说明蒸发膜的光电性能与薄膜的结晶形态有关。近期又生长出α-晶型及β-晶型两种同质异晶BTER单晶。α-单晶属三斜晶系为紫红色针状,β-单晶属单斜晶系为亮绿色片状。     

同位素取代水HO红外光谱的精细结构

使用一台 Nicolet-7199B型FT红外光谱仪,备有DGS检测系统和BaF_2(穴口心)的样品池,并将位于3400和2500cm~(-1)区谱图的波数标度分别放大为30和20cm~(-1)/25.4mm,我们观察了四种同位素取代水H_2~(16)O、H_2~(18)O、D_2~(16)O和D_2~(18)O的HO红外振动     

真空退火FePt/Ag纳米多层膜的结构和磁性

用脉冲激光在单晶MgO(100)基片上制备了FePt/Ag纳米多层膜,然后进行了真空退火,并进行了磁性测量及微结构分析.当FePt为最底层时,x射线衍射结果表明存在(001)织构.而且Ag层越厚,(001)择优取向越强.退火得到的FePt(L10相)晶粒的磁各向异性常数可达到106 J/m3量级,且磁化易轴垂直于膜面取向.通过测量磁化强度的时间效应,观察到小至6×10-25m3 的磁激活体积,说明退火得到的FePt(L10相)/Ag纳米复合薄膜适合于将来更高密度的垂直磁记录介质.     

酞菁铜蒸发膜的折光指数和视密度

在蒸发膜的电性能研究中,膜厚是一个重要数据,为了寻找一个非破坏性测厚的方便方祛,进行了红外干涉法的研究,这方法在硅片外延生长膜的厚度测定中已有不少报道。测定结果得到的是光学厚度即厚度与折光指数的乘积,为了得到αⅠ-酞菁铜蒸发膜的折光指数,作者等采用反射型干涉显微镜从干涉条纹法测定厚度绝对值后,得出αⅠ-酞菁铜蒸发膜在红外区(λ2.5—5.0μm)的折光指数值,并从蒸发膜的面积和称重得到了αⅠ-酞菁铜蒸发膜的视密度。     

低温低氧压下激光法在金属基底上沉积高温超导薄膜的缓冲层钇稳定氧化锆

制备高临界电流J_c的高温超导线材与带材是高温超导走向强电应用的重要课题.与Bi系及T1系相比,YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)的不可逆线低,在液氮温区仍有很强的钉扎力.YBa_2Cu_3O_(7-δ)已在单晶基片上生长出很高质量的薄膜,J.高达(5～6)×10~6A/cm~2.但是单晶基底对强电应用是不利的,为了使YBCO薄膜的优良性能应用于带材,必须把YBCO沉积到可弯曲并且便宜的金属基底上.为防止金属基底与YBCO之间的扩散反应,用钇稳定氧化锆(YSZ)做缓冲层.但是用这种薄膜沉积法得到的带材由于不是外延生长,J_c为 10~3～10~4A/cm~2.近来人们用离子束辅助沉积法(IBAD)在金属基底上得到具有平面内织构的YSZ缓冲层,并在其上外延生长出J_c达到 10~6A/cm~2的YBCO薄膜,这使得IBAD薄膜法成     

1-腈丙基杂氮硅三环的晶体结构

用作者编制的X射线直接法(GC-79)(ALGOL60)程序系统测定了1-腈丙基杂氮硅三环■的晶体结构。 该晶体属正交晶系D_(2k)~(16)-Pna2_1空间群,a=12.797(3),b=11.843(2),c=8.163(2)(?),D_(obi.)=1.296g·cm~(-3),D_(cacl.)=1.301g·cm~(-3),z=4。 用四圆衍射仪收集了三维强度数据,θ=3～68°,共1334个独立衍射点,其中包括123个消光点和158个不可观测点(I<3σ)。 选择190个|E_(?)|≥1.3的衍射点,起始套由七     

磷修饰金纳米粒子对葡萄糖氧化的电催化性能

采用白磷还原法制备了磷修饰的金纳米粒子(Au-PNPs),Au-PNPs的粒径能够通过改变氯金酸与白磷的投料摩尔比进行有效调控.采用X-射线粉末衍射光谱(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和透射电子显微镜(TEM)和电化学测试来表征Au-PNPs的形貌、结构和表面组成.循环伏安测试表明,在pH7.4的磷酸缓冲溶液中,Au-PNPs修饰电极对葡萄糖电化学氧化有良好的催化性能.通过与柠檬酸钠还原法制得的金纳米粒子(Au-CitNPs)的电化学性质比较,发现Au-PNPs对葡萄糖的电催化氧化具有优良的稳定性.基于此Au-PNPs修饰电极的葡萄糖无酶电化学传感器对于葡萄糖检测具有宽的线性检测范围(9.0×10-6～1.8×10-2mol/L)和低的检出限(5.0×10-6mol/L).     

关于铝硅酸离子的形成机理

将高纯铝溶入NaOH溶液,制成含Al_2O_3160.8g/l、Na_2O180.0g/l的铝酸钠溶液,其紫外吸收光谱如图1中曲线I_a,在2300～2900×10~(-8)cm波段有强吸收带。将其与含Al(OH)_6~(a-)、Al_2(OH)_(10)~(4-)、[(HO)_3Al—O—Al(OH)_3]~(2-)等各种铝酸离子的固体化合物以及已确证主要含     

人们能够建成最强的激光吗?

"理论预言激光足够强时可以从真空中产生正负电子对,但没有人知道是否可以实现".本文回顾了从真空中产生正负电子对相关的理论发展,以及理论上要求的激光条件,和目前激光达到的条件:施温格推导出当准静电场达到量子电动力学关键场E_s=me~2c~3/e?=1.32×10~(16) V/cm(对应场强I_s=4.65×10~(29) W/cm~2)时,正负电子对可以从真空中产生;单束聚焦激光产生正负电子对阈值光强约为5×10~(27) W/cm~2;两束相向传输的激光同时聚焦到同一点,对应的单束光强阈值约为10~(26) W/cm~2.考虑到只要有一对正负电子产生,其在激光场作用下的级联过程将耗尽激光场能,使最高的激光场强不能高于约3×10~(26) W/cm~2.目前国际上最高激光功率是由钛蓝宝石激光经过多级啁啾脉冲放大获得,为5.13 PW,对应光强在10~(24) W/cm~2.国际上有几个大的激光项目,近几年目标是10~15 PW,远期目标百拍瓦到艾瓦.远期目标获得的光强可以产生正负电子对,但是能否实现仍然未知.     

非轴对称的日冕磁环结构

太阳远紫外和软X射线频段的观测资料发现,日冕中存在大量环形结构,其根部位于光球层强磁场区域附近,上部一直延伸到日冕中。大量观测资料还表明,有些环形结构十分稳定,可以维持若干小时甚至几天,环的直径大致维持常值,且其直径与整个环的曲率半径之比约为1:10;环内等离子体温度约为10~4K—4×10~6K,密度约为7×10~(14)米~(-3)—10~5米~(-3)。环中的磁场强度虽然不能直接观测,但其估计值约为10—100高斯。环中等离子体压力分布可用一个简单的Fourier展开式来模拟,例如     

导电高分子——使用部份氧化和还原的聚乙炔作电池的阴极和阳极

众所周知,有机高分子化合物是绝缘体。然而,在1977年的纽约科学院会议上,MacDiarmid,Heeger和Shirakawa等宣布了他们第一个发现了通过掺杂后的有机高分子(CH)_x的导电性。他们通过化学或电化学的掺杂(即通过化学或电化学的氧化和还原)将聚乙炔膜的电导从绝缘体(σ<10~(-10)ohm~(-1)·cm~(-1))提高到半导体和金属导体(σ>10~3ohm~(-(?))     

BaO(A~1Σ)态在Ar和N_2中的振动弛豫和电子猝灭速率

在热管炉反应器中(HPOR)我们测量了Ba N_2O反应的化学发光光谱。观察了A~1∑,V′=1的转动微扰,并测得BaO~* A~1∑,V′=1在Ar中的振动弛豫速率为2.8×10~(-11)厘米~3·分子~(-1)·秒~(-1),以及A~1∑,V′=0的电子猝灭速率为4.7×10~(-13)厘米~3分子~(-1)·秒~(-1);在N_2中这些结果分别为5.8×10~(-11)厘米~3·分子~(-1)·秒叫和4.2×10~(-12)厘米~3·分子~(-1)·秒~(-1)。     

Ag/Bi多层膜的互扩散行为研究

互扩散系数是研究多层膜中扩散机理和固相反应的重要参数,利用调制波长为纳米级的成分调制多层膜可以测量10~(-27)m~2/s量级的扩散系数。当组分调制多层膜的调制波长L(L为两组分厚度之和)在纳米量级时,在垂直膜面方向形成一个一维的人造晶格。这种人造晶格所产生的在0°～10°范围内的Bragg衍射峰(调制峰)的强度对退火过程中多层膜间的互扩散十分敏感。测量多层膜的第1级小角X射线衍射峰强度随退火时间的变化可以得出多层膜间的互扩散系数。为了准确测量,最近我们设计了一种可以原位测量第1级小角衍射峰强     

多层超薄Pt-Si和GaAs相互作用的一个新现象

我们在超高真空(10~(-8)Pa)中于GaAs(100)面上交替溅射淀积多层超薄Si-Pt膜(总厚约为50×10~(-10)m),同时利作俄歇电子     

Co基非晶薄膜旋转场热处理

引言 非晶态磁性材料具有高电阻率、高磁导率、低矫顽力、低损耗以及耐磨损、耐腐蚀等优异特性。尤其是Co基非晶薄膜磁导率高频特性优于坡莫合金,是一种理想的薄膜磁头材料。但是制备态的非晶膜存在很大的内应力,σ约为10~9～10~(10)dyne/cm~2,即使对λ_s为10~(-7)的Co基膜,其应力各向异性K_σ仍有10~2—10~3erg/cm~3。再加上由于材料成分、密度涨落,原子偏聚,指向有序化造成的内部结构各向异性,表面形貌不平产生的表面各向异性,使制备态样品