基于频变负阻的无源梯形网络的有源模拟

提出了一个用频变负阻作为有源元件实现的无源梯形低通网络结构，而频变负阻只需要两个第二代电流传送器和三个无源元件。该有源RC低通网络具有无源低通原型的低灵敏度特性。     

基于CCII的高输入阻抗三输入单输出双二次电压模式滤波器

提出了一新型三输入单输出电压模式滤波器电路，该电路能实现低通、带通、高通、带阻及全通等五种滤波器，该电路具有输入阻抗高、固有频率与晶质因数独立可调、所有RC无源元件均接地及无源灵敏度低的特点。     

非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜的低波动阻变特性研究

基于化学溶液法在Pt/Ti/SiO_2/Si衬底上制备了非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜,研究了其表面形貌、介电特性和阻变特性.结果表明:非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜无明显晶界存在,其P-E和C-V曲线无滞后特征,其I-V曲线展示了双极性阻变行为.高低阻态的导电机制研究表明该双极性阻变行为由氧缺陷导电细丝断开/连接主导.通过与氧缺陷导电细丝主导的晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜基阻变行为对比,发现非晶态Bi_(3.15)Nd_(0.85)Ti_3O_(12)薄膜阻变的波动性较小,这与其无晶界密切相关.该研究可为开发低波动的阻变器件提供一定指导.     

基于负阻抗电路的跨阻放大器的设计

对基于负阻抗电路技术的跨阻放大器的带宽性能进行了理论分析与仿真.仿真结果表明,在具有相同的跨阻增益条件下,基于0.18μm CMOS工艺下shunt-feedback型跨阻放大器无负阻抗电路时,其-3 dB带宽约为3.1 GHz,而具有负阻抗电路时,其-3dB带宽约为4.3GHz,两者相比带宽性能约提高了40%.该方案可以提高跨阻放大器带宽并避免因引入电感而增加芯片面积,在实践上具有一定的可行性.     

基于负阻抗电路的跨阻放大器的设计

对基于负阻抗电路技术的跨阻放大器的带宽性能进行了理论分析与仿真仿真结果表明，在具有相同的跨阻增益条件下，基于0.18 μm CMOS工艺下 shuntfeedback型跨阻放大器无负阻抗电路时，其-3 dB带宽约为3.1 GHz，而具有负阻抗电路时，其-3 dB带宽约为4.3 GHz，两者相比带宽性能约提高了40%该方案可以提高跨阻放大器带宽并避免因引入电感而增加芯片面积，在实践上具有一定的可行性     

利用分子轨道理论对MIM隧道结负阻特性的讨论

首次从轨道杂化的角度探讨了MIM隧道结负阻特性的成因,结合化学上的计算,并与实际测量结果进行对比分析,提出了MIM隧道结负阻特性的理论解释.     

基于电流传输器的三输入单输出多功能滤波器

利用第二代电流传输器(CCll)构成一种三输入、单输出多功能电流模式滤波器，这个滤波器电路仅使用了三个第二代电流传输器(CCll)，四个接地电阻和两个接地电容，通过选择电路的三个输入端及其组合，即可在输出端得到低通、高通、带通、陷波和全通五种信号处理功能．并通过计算机软件PSHCE进行仿真．充分证明了该滤波器的正确性，该电路不但结构简单，而且角频率ω0和品质因素Q可实现独立可调．无源灵敏度较低，     

采用自适应核函数的空间时频分布盲源分离

基于空间时频分布的盲源分离算法可以用来分离具有不同时频分布的信号.时频分布的交叉项影响着盲分离的性能,而不同的时频分布对交叉项的抑制效果也不同.目前的盲源分离算法多是基于固定核的时频分布,而自适应核函数对交叉项的抑制能力要优于固定核的时频分布.提出采用自适应核函数时频分布的盲源分离算法,这种算法具有比较强的抑制交叉项能力和抗噪声能力.仿真表明,无论是在有噪声还是无噪声的情况下,这种算法的盲分离性能均优于采用Cohen类时频分布的盲源分离算法.     

基于MOCCII的多功能n阶电流模式滤波器

提出了一种结构简单、传输精度高的CMOS MOCCⅡ（second generation current conveyor with multiple outputs，多端输出的第二代电流传输器）电路及基于MOCCⅡ的具有IFLF（inverse follow leader feedback，反向跟随领先节反馈）结构的多功能n阶电流模式滤波器电路。该滤波器电路包含n 2个有源器件、n个电容及n 4个电阻，可以产生n阶低通、带通、高通、带阻及全通电流模式滤波器，文中对MOCCⅡ电路及滤波器进行了PSPICE模拟。     

阻变存储器阻变层材料专利技术综述

阻变存储器是最具潜力的下一代非易失性存储器之一。本文从专利角度分析了阻变存储器阻变层材料相关专利申请的基本状况,分别对金属氧化物、固态电解质、有机物三种重要阻变层材料技术分支的重点专利进行分析,对各分支的技术内容进行详细梳理,分析其技术演进趋势,探索阻变存储器阻变层材料技术未来的发展方向。