强耦合压电晶体中激子的基态能量

本文研究压电晶体中强耦合激子的性质.采用线性组合算符和一种简单的幺正变换,得到了强耦合情形的压电激子基态的有效哈密顿量,激子的自能表示为耦合参数α的降幂级数,其首项为一次项.电子-空穴间通过声子作用诱生的作用势与耦合参数、声速等有关.     

双α分布三包层色散平坦单模光纤

本文提出双α分布三包层数学模型,从MCVD工艺出发,采用具有适当中心凹陷的渐变芯层分布.推导了相应的电磁场分布函数,计算和讨论了一种色散平坦结构方案的色散特性、截止波长、模斑尺寸及工艺容限.实验表明,这种结构可以在1.55μm处得到0.32dB/km的低损耗.     

自由孔口应力集中及深切口应力奇性的有限变形分析

本文运用增量分析方法,得到了含椭圆孔及抛物线孔的无限弹性平板的有限变形应力表达式.新的应力表达式是载荷、孔口形状及材料性质的函数.特别还分析了深切口根部的应力奇性,发现它可以与线性断裂力学的应力强度因子相联系,但应力奇性改变为αln 1/√ρ,ρ为切口根部的曲率半径,α为与材料有关的常数.新的结果还解释了平面应力和平面应变问题的区别.     

α剂量热释光断代技术-一种鉴别特殊赝品的方法

热释光真伪测定是一个重要的考古技术.但是一些现代伪造的复制品已经对常规的热释光测定年代提出了挑战.本文叙述了α剂量热释光断代方法.由于α剂量不能伪造,所以这个方法是可靠的.本方法在模拟陶器碎片和古代砖头上进行实验,测量结果与真实情况符合良好.     

Fe-Ni系粉末机械合金化热力学

参考Miedema半经验理论,建立了Fe-Ni系机械合金化(MA)过程的热力学模型.热力学计算分析指出,Fe-Ni系粉末MA过程一般不存在发生非晶化反应的化学驱动力.Fe-Ni系MA粉末由α(bcc)和γ(fcc)两相固溶体组成.在球磨过程中两相相互转化,控制这一转化的因素是形成焓的结构项.对不同球磨时间Fe₆₀Ni₄₀MA粉末的X射线衍射(XRD)分析,证明了所建立的热力学模型的正确性.根据XRD图确定了Fe₆₀Ni₄₀MA粉末在不同球磨时间的物相组成、各相成分、晶格参数、晶粒尺寸和晶格畸变等结构参数.     

InP欧姆接触研究

按金属与半导体接触的载流子输运理论,计算了n或p型InP的比接触电阻ρ_o值.计算结果以势垒高度φ_B自0.3~1.0eV,ρ_o与载流子浓度(10¹⁸~10²¹cm^-3)关系用图表示出来.当退火温度小于350℃,3分钟退火Au与InP的φ_B并不改变.如退火温度大于350℃,则Au与n-InP在3分钟退火后形成差的欧姆接触,但对p-InP则只是势垒退化,即φ_B降低.这样合金化开始温度应在350℃左右.用本文实测及文献中发表的AuZn/p-InP的实验数据与理论计算进行比较,对目前p型InP欧姆接触工艺中存在的问题进行了讨论.     

(BiTm)3(FeGa)5O12磁光单晶薄膜

本文论述(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂膜的液相外延和磁光特性.研究了外延工艺对膜的生长速率和磁光性能的影响,得到膜的磁光优值θ_F/α达2.9deg/dB,并观察了膜的磁畴结构和内部缺陷.对该薄膜制成的磁光调制器进行了低频调制试验.     

X射线粉末衍射数据库(FXDB)及其检索程序(FXSM)

在国内外,一般均以晶面间距d为基础建立X射线粉末衍射数据库的.由于d的误差△d及△d/d随d值大小改变,在检索对比时不甚方便.本文以相对于CuK_α辐射的衍射角2θ为基础建立数据库,FXDB分单文件库,专题单文件库及工作三文件库三个层次.     

Nd3+:YAG激光器的132μm连续激光腔片

掺钕钇铝石榴石是一种性能优异的激光晶体,它可以分别产生1.06μm、1.32μm等波长的激光.其中,1.32μm附近的激光在光纤通信、医疗等方面具有重要的应用.但是,由于高增益的1.06μm谱线的竞争,使得1.32μm难以形成激光振荡.     

超晶格界面上的TM电磁表面波

该文研究超晶格体中TM电磁表面波的传播特性.分析了超晶格体液晶层晶轴取向θ角对TM表面波传播的重要影响,导出了TM表面波色散关系,给出了其电场和磁场的分布曲线.理论揭示:超晶格中TM表面波存在的条件是:(1)θ=0或θ=π/2;(2)超晶格体覆盖层的复介电常数ε满足Re (ε)<0.     

电磁场数值计算中奇异性的处理

本文对电磁场数值计算中经常遇到的一些奇异性问题进行了讨论.一般的处理方法是从积分域中挖去奋点r_s的一个小的ε邻域N_ε(r_s)当ε很小时这种方法能达到一定精度,但对ε的取值不能进行定量分析,本文的处理方法是积分域绕开奇点r_s然后将被积函数在奇点r_s处展开成级数从而获到奇点处积分的近似式和截断误差.     

半导体中深能级的晶格弛豫效应

基于Hjalmarson等人提出的理论,研究了有关Si,Ge以及GaP的深能级的最近邻和次最近邻晶格弛豫效应.对Baranowski提出的计算紧束缚非对角元的近似估算模型作了合理的修正,采用Harrison提出的与最近邻原子的键长的平方成反比例的规则以及修正的Baranowski模型,进行了大量的数值计算.对于含多种杂质的Si,Ge和GaP半导体材料,文中还对利用不同的理论模型分别计算出的深能级及实验测量结果的误差作了比较.     

砷化铟中的剩余施主和高纯砷化铟晶体的生长Ⅱ.高纯砷化铟晶体生长及热处理对电学性质的影响

用特别处理的石英舟生长纯度InAs晶体,不仅避免了Si沾污,而且能克服沾舟的困难.晶体的电学性质μ₇₇在54000~60000 cm²/V·s之间,最高达68800 cm²/V·s,n₇₇在1.5~2.0×10¹⁶cm^-3范围,比一般石英舟生长的为好.用它作GaInAs气相外延的源,也能得到较好结果.     

有限温度下界面磁极化子的回旋质量与温度的关系

早在六十年代,Larsen^[1,2]就研究了磁场中极化子的能级及其回旋共振.随着外延技术和磁光技术的不断发展,磁场中电-声子相互作用的问题,已变成一个广泛研究的领域^[3-5] Das Sarma^[6]精辟地分析了电-声子相互作用对半导体空间电荷层中二维电子回旋质量的影响.     

固体粒子对浓悬浮液流变性能的影响

以高氯酸铵和铝粉为分散相,端羟聚醚二醇为连续相,考察了总固体粒子的体积分数φ,粒度比R,以及小粒子占固体总量的体积分数φ_s对浓悬浮液流变性能的影响.对双峰分布分散系,浓悬浮液的粘度在φ_s=0.30时达到最小,并随R的减小而下降.固体细粒子对浓悬浮液的假塑性程度关系极大.当悬浮液中细粒固体增加或粒度比减小时,体系假塑性程度增大;有非球形粒子的悬浮液中,φ和φ_s的影响更大,但宽分布球形粒子构成的二元系,φ对假塑性的影响比窄分布体系小.     

光纤在电子和γ辐射诊断中应用的研究

用光纤把辐射能转变为Cerenkov光光能的传感器和信号传输线时,可以构成频带极宽的电子束和γ射线脉冲诊断系统.本文从理论上计算了入射的相对论电子或入射的γ射线形成的Compton电子在光纤中产生的Cerenkov光的灵敏度.研制了光纤传感器和测量系统,给出了系统灵敏度、动态范围以及带宽的解析表达式,这对评价系统性能和论证可应用性是很重要的.标定了传感器对γ射线的灵敏度.现系统可突破常规系统带宽的极限记录.系统带宽潜力达500MHz以上,用于极快辐射脉冲测量将显示出它的独特优点.     

三对角阵与其主子阵的特征值之间的偏差

本文考虑下列三个问题:估计d_l(λ)=min|μ_i-λ|的上界,其中μ_i(i=1,2,…,n)是B_n的特征值.     

Na|β-Al2O3|NaxHg1-x固体电解质电池的电动势和低钠汞齐中活度的测量

测量了Na|β-Al₂O₃|Na_xHg_1-x电池的电动势(E),并据此计算了低钠汞齐中钠的活度系数(γ_Na).仔细的数据分析表明,各电池电动势的温度系数在318.15K、333.15K、353.15K和370.85K附近均有微小转折,各温度区间温度系数的差异随x值变小而减小.最后,得出电池电动势、钠的活度系数和钠/以无限稀释汞齐为参考态的假想态钠汞组分电池的标准电动势(E⁰)的实验参数方程式.     

棱镜耦合器的输入耦合效率与入射波传播常数的关系

在集成光学实验中,为了正确地使用棱镜耦合器,有必要研究输入耦合效率η与入射波传播常数β_i的关系.     

MBS树脂的研究

MBS树脂本体聚合时剪切速率和形态-性能的关系迄今很少报道.本文研究了本体聚合时剪切速率和橡胶相形态及其与抗冲强度、透光率、光泽度、流动性的关系;连续相分子量与抗冲强度的关系.对两种调节剂叔十二硫醇和α-甲基苯乙烯二聚体进行了比较.