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| Ga掺杂70Ge纳米晶的制备与研究 | |
| 引用本文： | 游草风,卢铁城,胡又文,陈青云,敦少博,胡强,范立伟,张松宝,唐彬,代君龙.Ga掺杂70Ge纳米晶的制备与研究[J].四川大学学报(自然科学版),2009,46(3):756-760. |
| 作者姓名： | 游草风 卢铁城 胡又文 陈青云 敦少博 胡强 范立伟 张松宝 唐彬 代君龙 |
| 作者单位： | 1. 四川大学物理系教育部辐射物理及技术重点实验室,成都,610064 2. 四川大学物理系教育部辐射物理及技术重点实验室,成都,610064;中国科学院国际材料物理研究中心,沈阳,110015 3. 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,621900 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金委员-中国工程物理研究院联合基金(10376020) |
| 摘 要： | 通过离子注入及中子嬗变掺杂制备了Ga(镓)掺杂70Ge(锗)纳米晶，并对样品进行了质子激发X射线荧光分析谱(PIXE)、光致发光谱(PL)、激光拉曼散射谱(LRS)的测量与研究.结果表明：随着Ga杂质浓度的增加，580 nm附近的荧光峰的发光强度不断地下降，这可能是非辐射的俄歇复合过程与纳米晶数量的减少共同作用的结果.此外，从PL上面看到580 nm附近的荧光峰蓝移则可能是由纳米晶尺寸的减小和非辐射的俄歇复合过程引起的. |
| 关 键 词： | Ge纳米晶 中子嬗变掺杂 光致发光 激光拉曼散射 |
Preparation and study of gallium-doped 70Ge nanocrystals |
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| YOU Cao-Feng,LU Tie-Cheng,HU You-Wen,CHEN Qing-Yun,DUN Shao-Bo,HU Qiang,FAN Li-Wei,ZHANG Song-Bao,TANG Bin and DAI Jun-Long.Preparation and study of gallium-doped 70Ge nanocrystals[J].Journal of Sichuan University (Natural Science Edition),2009,46(3):756-760. | |
| Authors: | YOU Cao-Feng LU Tie-Cheng HU You-Wen CHEN Qing-Yun DUN Shao-Bo HU Qiang FAN Li-Wei ZHANG Song-Bao TANG Bin and DAI Jun-Long |
| Abstract: | |
| Keywords: | Ge nanocrystals neutron transmutation doping photoluminescence laser Raman scattering |
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