| 高速小回滞双向SCR的ESD防护器件设计 |
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| 引用本文： | 顾晓峰,彭宏伟,梁海莲,董树荣,刘湖云.高速小回滞双向SCR的ESD防护器件设计[J].湖南大学学报(自然科学版),2019,46(8):105-109. |
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| 作者姓名： | 顾晓峰 彭宏伟 梁海莲 董树荣 刘湖云 |
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| 作者单位： | 江南大学 物联网技术应用教育部工程研究中心,江苏无锡,214122;浙江大学微电子与光电子研究所,浙江杭州,310027 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;江苏省自然科学基金;江苏省研究生科研与实践创新计划项目;中国博士后科学基金 |
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| 摘 要： | 针对可控硅(SCR)结构的静电放电(ESD)防护器件触发电压高、电压回滞幅度大以及开启速度慢等问题,设计了一种RC触发内嵌PMOS DDSCR(DUT3)器件.基于0.35μm Bipolar-CMOS-DMOS工艺制备了传统DDSCR(DUT1)、内嵌PMOS DDSCR(DUT2)和DUT3三种器件,利用传输线脉冲系统测试了它们的ESD特性.实验结果表明:与DUT1相比,DUT2触发电压从31.3 V下降至5.46 V,维持电压从3.59 V上升至4.65 V,具有窄小的电压回滞幅度.但是,由于DUT2内嵌PMOS常处于开态,导致DUT2器件漏电流高达10-2 A量级,不适用于ESD防护.通过在DUT2内嵌的PMOS栅上引入RC触发电路,提供固定栅压,获得的DUT3不仅进一步减小了电压回滞幅度,同时具有12.6 ns极短的器件开启时间,与DUT1相比,DUT3开启速度提高了约71.5%,漏电流稳定在10-10 A量级.优化的DUT3器件适用于高速小回滞窄ESD设计窗口低压集成电路的ESD防护.
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| 关 键 词： | 静电放电 双向可控硅 触发电压 开启速度 漏电流 |
Design of ESD Protection Device for High Speed
and Very Small Snapback DDSCR |
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| GU Xiaofeng,PENG Hongwei,LIANG Hailian,DONG Shurong,LIU Huyun.Design of ESD Protection Device for High Speed
and Very Small Snapback DDSCR[J].Journal of Hunan University(Naturnal Science),2019,46(8):105-109. |
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| Authors: | GU Xiaofeng PENG Hongwei LIANG Hailian DONG Shurong LIU Huyun |
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