缓冲气体对激光烧蚀制备掺 Er 纳米 Si 晶薄膜结构特性的影响

doi:10.3969/j.issn.1000-1565.2007.02.010

河北大学学报(自然科学版) ›› 2007, Vol. 27 ›› Issue (2): 139-142.DOI: 10.3969/j.issn.1000-1565.2007.02.010

缓冲气体对激光烧蚀制备掺 Er 纳米 Si 晶薄膜结构特性的影响

周阳,刘云山,褚立志,段平光,邓泽超,庞学霞,王英龙

河北大学,物理科学与技术学院,河北,保定,071002

出版日期:2007-03-25 发布日期:2007-03-25
基金资助:
河北省自然科学基金资，河北大学校科研和教改项目

Influence of the Ambient Gas on the Microstructural Properties of Er-doped Nanocrystalline Si Films Fabricated by Pulsed Laser Ablation

ZHOU Yang,LIU Yun-shan,CHU Li-zhi,DUAN Ping-guang,DENG Ze-chao,PANG Xue-xia,WANG Ying-long

Online:2007-03-25 Published:2007-03-25

摘要/Abstract

摘要： 采用 XeCl 脉冲准分子激光器,保持激光脉冲比为1:3,分时烧蚀Er靶和高阻抗单晶Si靶,在10 Pa的Ne气环境下沉积了掺Er非晶Si薄膜. 在氮气保护下,分别在1 000℃,1 050 ℃和1 100℃温度下进行30 min热退火处理. 对所得样品的Raman谱测量证实,随着退火温度的升高,薄膜的晶化程度提高;利用扫描电子显微镜观测了所制备的掺Er纳米Si晶薄膜的表面形貌,并与相同实验参数、真空环境下烧蚀并经热退火的结果进行了比较. 结果表明,Ne气的引入,使形成轮廓明显的掺Er纳米Si晶粒的退火温度降低,有利于尺寸均匀的晶粒的形成.

关键词: 掺Er纳米Si晶粒, 脉冲激光烧蚀, Raman谱, 表面形貌

中图分类号:

O432.1 O532.26 O614.33

周阳,刘云山,褚立志,段平光,邓泽超,庞学霞,王英龙. 缓冲气体对激光烧蚀制备掺 Er 纳米 Si 晶薄膜结构特性的影响[J]. 河北大学学报(自然科学版), 2007, 27(2): 139-142.

ZHOU Yang,LIU Yun-shan,CHU Li-zhi,DUAN Ping-guang,DENG Ze-chao,PANG Xue-xia,WANG Ying-long. Influence of the Ambient Gas on the Microstructural Properties of Er-doped Nanocrystalline Si Films Fabricated by Pulsed Laser Ablation[J]. Journal of Hebei University (Natural Science Edition), 2007, 27(2): 139-142.

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缓冲气体对激光烧蚀制备掺 Er 纳米 Si 晶薄膜结构特性的影响

Influence of the Ambient Gas on the Microstructural Properties of Er-doped Nanocrystalline Si Films Fabricated by Pulsed Laser Ablation

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